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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Numerical Study on Light Localization in Impedance-Matched Meta-Material Random Systems 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 34206-34206 Chen, HP; Yao, PJ; Liang, ZX; Jiang, XY; Han, WD 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 WEAK-LOCALIZATION  RANDOM-MEDIA  FLUCTUATIONS  PROPAGATION  FILMS   Cation Effect on Copper Chemical Mechanical Polishing 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 28103-28103 Wang, LY; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 SLURRY  CMP  BENZOTRIAZOLE  PLANARIZATION  MEDIA  GLASS  ACID   Reversible phase change for C-RAM nano-cell-element fabricated by focused ion beam method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 758-761 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  GE2SB2TE5 FILMS  CRYSTALLIZATION  TEMPERATURE  MEDIA   Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932 Xu, C; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  ION-BEAM METHOD  ELECTRICAL-PROPERTIES  OPTICAL-PROPERTIES  CELL-ELEMENT  RESISTANCE  IMPLANTATION  TRANSITION  ALLOYS  MEDIA   Single cell element of chalcogenide random access memory fabricated with the focused ion beam method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 2054-2056 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILM  CRYSTALLIZATION  TEMPERATURE  MEDIA   Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 1947-1950 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  CRYSTALLIZATION BEHAVIOR  THIN-FILMS  MEMORY  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  MEDIA  SB