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半导体研究所 [20]
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学科主题
半导体物理 [20]
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学科主题:半导体物理
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Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: art.no.127101
Wang, WJ (Wang Wen-Jie)
;
Deng, JJ (Deng Jia-Jun)
;
Fu, XQ (Fu Xing-Qiu)
;
Hu, B (Hu Bing)
;
Ding, K (Ding Kun)
收藏
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浏览/下载:230/52
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提交时间:2010/03/08
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Anti-Stokes photoluminescence in ZnO microcrystal
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.031902
Cao WT (Cao Weitao)
;
Du WM (Du Weimin)
;
Su FH (Su Fuhai)
;
Li GH (Li Guohua)
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/04/11
TEMPERATURE-DEPENDENCE
UP-CONVERSION
ZINC-OXIDE
LUMINESCENCE
EXCITATION
ENERGY
Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
LASERS
WAVELENGTH
SEPARATION
LINEWIDTH
PROPERTY
GAIN
Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330
Lu LW
;
Yang CL
;
Wang J
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TRANSIENT SPECTROSCOPY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
WELL
EPILAYERS
SURFACE
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Optical properties of InGaAs self-assembled quantum dots with InAlAs wetting layer
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 8, 页码: 2087-2091
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:299/12
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提交时间:2010/08/12
InGaAs quantum dots
InAlAs wetting layer
photoluminescence spectra
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 2003, 期号: 1-2, 页码: 27-33
Fang, ZD
;
Gong, Z
;
Miao, ZH
;
Xu, XH
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:48/14
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提交时间:2010/03/09
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEPARATION
WAVELENGTH
LASERS
Photoluminescence behaviors from stoichiometric gadolinium oxide films
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 4414-4419
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Chen NF
;
Lin LY
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浏览/下载:364/14
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提交时间:2010/08/12
INTERFACIAL LAYER FORMATION
GATE DIELECTRICS GD2O3
ION-BEAM
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SILICON
SI
GAAS(100)
CONSTANTS
EUROPIUM
YTTRIUM
Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514
作者:
Jin P
;
Li CM
;
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GROWTH
GAAS
LASERS
Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314
Lu LW
;
Wang ZG
;
Yang CL
;
Wang J
;
Ma ZH
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:93/10
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提交时间:2010/08/12
II-VI semiconductor
self-organized quantum dots
optical and electrical properties
TEMPERATURE-DEPENDENCE
WELL STRUCTURES
LASER-DIODES
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
EPILAYERS
SURFACE
STATES
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