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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 287, 期号: 1, 页码: 28-33 Fan WJ; Abiyasa AP; Tan ST; Yu SF; Sun XW; Xia JB; Yeo YC; Li MF; Chong TC 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/11 computer simulation  low dimensional structures  zinc compounds  semiconducting II-VI materials  OPTICAL GAIN SPECTRA  BAND-STRUCTURES  ROOM-TEMPERATURE  LASERS   Photoluminesfcence of Er-doped SiO2 films containing Si nanocrystals and Er 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 10-15 Chen CY; Chen WD; Song SF; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：441/2  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  chemical vapor deposition processes  nanomaterials  semiconducting materials  SILICON NANOCRYSTALS  LUMINESCENCE  EXCITATION   The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  nanostructures  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diode  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438 作者:  Jin P;  Ye XL;  Li CM;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  PHOTOLUMINESCENCE   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  SHAPE TRANSITION  PHOTOLUMINESCENCE  FABRICATION  DEPOSITION  WIRES  SITU   Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：143/9  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  laser diodes  WELL LASERS   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY