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| MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者: Jia CH ; Song HP
  收藏 | 浏览/下载：118/2 | 提交时间：2011/07/05
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| Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2010/08/12
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| X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H
收藏 | 浏览/下载：111/0 | 提交时间：2010/08/12
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| Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者: Zhang SM; Zhao DG
收藏 | 浏览/下载：84/5 | 提交时间：2010/08/12
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| Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2010/08/12
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| Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Zheng XH; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Yang H; Liang JW
收藏 | 浏览/下载：102/12 | 提交时间：2010/08/12
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| Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文
chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222
Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY
收藏 | 浏览/下载：93/4 | 提交时间：2010/08/12
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| Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG
收藏 | 浏览/下载：83/8 | 提交时间：2010/08/12
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| Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49
作者: Zhao DG
收藏 | 浏览/下载：131/40 | 提交时间：2010/08/12
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| The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2010/08/12
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