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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2010/04/11
AlGaN/AlN/GaN
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