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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD 期刊论文 IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238 作者:  Zhao, Xiaoqing;  Sun, Hongbin;  Liu, Longjun;  Yang, Yang;  Dai, Liangliang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 Address mappings  Efficiency improvement  Efficient architecture  Non-volatile memory  Prototypes  Quantitative evaluation  Random bit errors  Solid state drives   Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD 期刊论文 IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238 作者:  Xiaoqing Zhao;  Hongbin Sun;  Longjun Liu;  Yang Yang;  Liangliang Dai 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/13 Reliability  Nonvolatile  memory  Prototypes  Bit  error  rate  Computer  architecture  Transistors  Sun  ReRAM  solid  state  drive  reliability  endurance  bit  error  rate   Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238 作者:  Zhao, Xiaoqing;  Sun, Hongbin;  Liu, Longjun;  Yang, Yang;  Dai, Liangliang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/17 ReRAM  solid  state  drive  reliability  endurance  bit  error  rate   Architectural Exploration to Address the Reliability Challenges for ReRAM-Based Buffer in SSD. 期刊论文 IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers., 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 226-238 作者:  Zhao, Xiaoqing;  Sun, Hongbin;  Liu, Longjun;  Yang, Yang;  Dai, Liangliang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/17 COMPUTER  storage  devices  *RANDOM  access  memory  *STATISTICAL  reliability