|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation 会议论文
作者: Li DL(李多力) ; Zhu HP(朱慧平); Chen X(陈曦); Zheng ZS(郑中山); Li B(李博)
  收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/05/13 |
| Total dose effect of Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者: Gao JT(高见头); Li DL(李多力); Li BH(李彬鸿); Li B(李博); Zheng ZS(郑中山)
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文
作者: Li B(李博); Huang YB(黄云波); L.Yang; Zhang QZ(张青竹); Zheng ZS(郑中山)
收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2019/05/13 |
| Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文
Microelectronics Reliability, 2018
作者: Zheng ZS(郑中山); Huang YB(黄云波); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/03/28 |
| Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018
作者: Yang L(杨玲); Zhang QZ(张青竹); Huang YB(黄云波); Zheng ZS(郑中山); Li B(李博)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/03/28 |
| 一种SRAM灵敏放大器电路 专利
专利号: CN201510202659.X, 申请日期: 2018-05-01, 公开日期: 2015-07-22
作者: 刘海南; 宿晓慧; 罗家俊; 韩郑生; 郝乐
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/03/01 |
| 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路 专利
专利号: CN201410811710.2, 申请日期: 2017-12-12, 公开日期: 2015-06-03
作者: 韩郑生; 罗家俊; 宿晓慧; 李欣欣; 郝乐
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2018/02/08 |
| 一种SRAM灵敏放大器电路设计 专利
专利号: CN201510202580.7, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2015-07-22
作者: 李欣欣; 郝乐; 刘海南; 韩郑生; 罗家俊
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 会议论文
作者: Zheng ZS(郑中山); Huang YB(黄云波); Yang L(杨玲); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/07/20 |
| 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 专利
专利号: CN201310439034.6, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2013-12-25
作者: 宿晓慧; 郝乐; 韩郑生; 罗家俊; 毕津顺
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/09/14 |
