QQ客服 官方微博 反馈留言

	Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
	Zheng ZS(郑中山); Huang YB(黄云波); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生); Yin HX(殷华湘); Bu JH(卜建辉); Zhu HP(朱慧平); Li BH(李彬鸿); Zhang QZ(张青竹)
刊名	Microelectronics Reliability
	2018-09-01
文献子类	期刊论文
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18912]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Zheng ZS,Huang YB,Li B,et al. Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs[J]. Microelectronics Reliability,2018.
APA	Zheng ZS.,Huang YB.,Li B.,Luo JJ.,Han ZS.,...&Zhang QZ.(2018).Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs.Microelectronics Reliability.
MLA	Zheng ZS,et al."Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs".Microelectronics Reliability (2018).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。