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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇 ; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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| 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友
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| 一种插入层复合结构及其制作方法 专利
专利号: CN201410671215.6, 申请日期: 2017-07-18, 公开日期: 2015-03-04
作者: 白云; 申华军; 汤益丹; 刘新宇; 杨成樾
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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利
专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11
作者: 汤益丹; 白云; 申华军; 霍瑞彬; 刘新宇
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| 一种场限环结终端结构的优化设计方法 专利
专利号: CN201410671594.9, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2015-03-11
作者: 刘新宇; 白云; 申华军; 汤益丹; 杨成樾
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| Effect of Annealing on the Characteristics of Ti/Al Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC 期刊论文
Materials Science Forum, 2017
作者: Bai Y(白云); Liu XY(刘新宇); Tang YD(汤益丹); Shen HJ(申华军); Zhang XF(张旭芳)
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| Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain 期刊论文
Materials Science Forum, 2017
作者: Liu XY(刘新宇); Yang CY(杨成樾); Shen HJ(申华军); Li CZ(李诚瞻); Bai Y(白云)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| 3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制 期刊论文
大功率变流技术, 2016
作者: 高云斌; 吴煜东; 申华军; 彭朝阳; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2017/05/08 |
| Effect of annealing on the characteristics of Ti/Al ohmic contacts to P-type 4H–SiC 会议论文
作者: Peng CY(彭朝阳); Zhang XF(张旭芳); Guo F(郭飞); Bai Y(白云); Liu XY(刘新宇)
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/05/18 |
