本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影出初步的P型基区窗口；光刻胶掩膜刻蚀SiO2介质；以剩余光刻胶和SiO2组合掩膜刻蚀多晶硅，刻蚀完成后去除剩余光刻胶；以多晶硅为离子注入阻挡层，铝离子注入形成P型基区；在所述的多晶硅上沉积并刻蚀SiO2，形成侧墙掩膜；以多晶硅和侧墙为离子注入阻挡层，氮离子注入形成N+源区；去除SiO2及多晶硅，并形成P+离子注入阻挡层；铝离子注入形成P+接触区。本发明通过沉积多晶硅并形成侧墙作为P+接触区域阻挡层，避免该区域注入氮离子，不需要剥离工艺。