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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文 Microelectronics Engineering, 2016 作者:  Wang GL(王桂磊);  Qin ZL(秦长亮);  Yin HX(殷华湘);  Duan NY(段宁远);  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09 Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文 ECS Transactions, 2016 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Qin ZL(秦长亮);  Cui HS(崔虎山) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/05/09 SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond 期刊论文 The Electrochemical Society, 2014 作者:  Xu Q(徐强);  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Luo J(罗军);  Li CL(李春龙) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/04/24