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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures 期刊论文 Chin. Phys. B, 2018 作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Chen H(陈宏) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/04/19 Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers 期刊论文 Materials Science Forum, 2018 作者:  Xu SD(徐少东);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Liu XY(刘新宇);  Tang YD(汤益丹) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/19 High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System 期刊论文 J. Appl. Phys., 2018 作者:  KeAn Liu;  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/19 Multi-dimensional models of sic power mosfet for accurately predicting the characteristics 期刊论文 CES TRANSACTIONS ON ELECTRICAL MACHINES AND SYSTEMS, 2017 作者:  Diao S(刁绅);  Li CZ(李诚瞻);  Yang CY(杨成樾);  Liu XY(刘新宇);  Bai Y(白云) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/05/16 Study of Temperature-dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers 会议论文 作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Xu SD(徐少东);  Tang YD(汤益丹);  Bai Y(白云) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/07/20 Effect of Annealing on the Characteristics of Ti/Al Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC 期刊论文 Materials Science Forum, 2017 作者:  Bai Y(白云);  Liu XY(刘新宇);  Tang YD(汤益丹);  Shen HJ(申华军);  Zhang XF(张旭芳) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/05/15 Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain 期刊论文 Materials Science Forum, 2017 作者:  Liu XY(刘新宇);  Yang CY(杨成樾);  Shen HJ(申华军);  Li CZ(李诚瞻);  Bai Y(白云) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/05/16 Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing 期刊论文 Materials Science Forum, 2017 作者:  Bai Y(白云);  Peng CY(彭朝阳);  Tang YD(汤益丹);  Wang YY(王弋宇);  Liu XY(刘新宇) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/16 Investigation of the Interface Quality and Reliability of 4H-SiC MOS Structure with NO and Forming Gas Annealing Treatment 期刊论文 Materials Science Forum, 2016 作者:  Wang YY(王弋宇);  Peng CY(彭朝阳);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Wu J(吴佳) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08 Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system 期刊论文 Chinese Physics B, 2015 作者:  Liu XY(刘新宇);  Tang YD(汤益丹);  Liu KA(刘可安);  Shen HJ(申华军);  Wu J(吴佳) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/26