Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing | |
Bai Y(白云); Peng CY(彭朝阳); Tang YD(汤益丹); Wang YY(王弋宇); Liu XY(刘新宇); Li CZ(李诚瞻) | |
刊名 | Materials Science Forum |
2017-05-15 | |
文献子类 | 期刊论文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18021] |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Bai Y,Peng CY,Tang YD,et al. Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing[J]. Materials Science Forum,2017. |
APA | Bai Y,Peng CY,Tang YD,Wang YY,Liu XY,&Li CZ.(2017).Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing.Materials Science Forum. |
MLA | Bai Y,et al."Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing".Materials Science Forum (2017). |
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