QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Quantum-Well Width on the Electroluminescence Properties of AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes at Different Temperatures 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018 作者:  Zhu, Youhua;  Tan, Shuxin;  Zhang, Jicai(张纪才);  Chen, Gang;  Egawa, Takashi 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/03/27 Ambient-temperature diffusion and gettering of Pt atoms in GaN with surface defect region under60Co gamma or MeV electron irradiation 期刊论文 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2018 作者:  Li, Shuti;  Song, Weidong;  Huang, Rong;  Zhang, Jicai(张纪才);  Qin, G.G. 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/03/27 Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2018 作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Tan, Shuxin;  Zhang, Boshun(张宝顺);  Zhang, Jicai(张纪才) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/27 Growth of low-threading-dislocation-density GaN on graphene by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017 作者:  He, Shunyu;  Xu, Yu;  Qi, Lin;  Li, Zongyao;  Cao, Bing 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05 Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017 作者:   收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/02/05 Raman spectra investigation of the defects of chemical vapor deposited multilayer graphene and modified by oxygen plasma treatment 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 99 作者:   收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress analysis of transferable crack-free gallium nitride microrods grown on graphene/SiC substrate 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 185 作者:   收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11