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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
作者: 刘雯
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| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
作者: 程凯芳
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
作者: 刘雯
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| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 杨富华
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| 将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
马静; 刘雯; 杨添舒; 时彦朋; 杨富华; 王晓东
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| 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 王晓东; 杨富华
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| 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 张端; 郑婉华; 王晓东; 杨富华
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2014/12/25 |
