对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液; 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 | |
刘雯![]() | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN200910237097.7 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液,该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3~4ml的双氧水,实现了对Al组分为0.8~0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8~0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液,具有高的选择性腐蚀,能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的,并且腐蚀液配制方便,具有很好的重复性。 |
公开日期 | 2011-08-31 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200910237097.7 |
专利代理 | 周国城 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22379] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘雯. 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液, 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液. CN200910237097.7. |
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