在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 半导体集成技术工程研究中心

	在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法; 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法; 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法; 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法
	程凯芳
专利国别	中国
专利号	CN102433529A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法,该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO2进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴槽中进行阳极氧化；将氧化后的GaAs衬底在磷酸溶液中腐蚀扩孔；采用Ar离子轰击完全去除阻挡层,得到完全通孔的阳极氧化铝模板；将表面制备有阳极氧化铝模板的GaAs衬底进行电子束蒸发金属填孔；以及去除表面的阳极氧化铝膜,在GaAs衬底表面得到均匀的金属纳米颗粒。利用本发明,避免了采用已制备好的阳极氧化铝模板转移到半导体材料衬底过程中模板易碎、模板与衬底之间接触不好、以及引入污染等问题。
公开日期	2012-09-07 ; 2012-05-02 ; 2012-09-07
申请日期	2011-12-26
语种	中文
专利申请号	CN201110440640.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23343]
专题	半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	程凯芳. 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法, 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法, 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法, 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法. CN102433529A.