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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
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2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH
;
Chan NH
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Ng SW
;
Lui HF
;
Tong KY
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
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  |  
提交时间:2010/08/12
deep level transient Fourier spectroscopy
(DLTFS)
gallium nitride (GaN)
intermediate-temperature buffer layer (ITBF)
low-frequency noise
RESONANT-TUNNELING DIODES
GENERATION-RECOMBINATION NOISE
RANDOM-TELEGRAPH NOISE
ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS
DEVICES
Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425
Ho WY
;
Surya C
;
Tong KY
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
current stressing
DLTS
flicker noise
heterojunctions
III-V nitride
LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS
RESONANT-TUNNELING DIODES
FLICKER NOISE
GALLIUM NITRIDE
1/F NOISE
DEVICES
TRANSISTORS
QUALITY
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