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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [11]
会议论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2009 [1]
2006 [2]
2003 [1]
2001 [1]
1999 [3]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes
期刊论文
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 6808-6815
Zhang, YY
;
Xie, HZ
;
Zheng, HY
;
Wei, TB
;
Yang, H
;
Li, J
;
Yi, XY
;
Song, XY
;
Wang, GH
;
Li, JM
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/17
Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:
Liu J
;
Zhu H
收藏
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浏览/下载:74/2
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提交时间:2010/03/08
HEMT
2DEG
Peculiar photocurrent response due to Gamma-X coupling in a GaAs/AlAs heterostructure
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 643-646
Hu B
;
Zheng HZ
;
Peng J
;
Li GR
;
Li YH
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/11
QUANTUM-WELL
STORAGE
SUPERLATTICES
Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427
Shi LW (Shi Liwei)
;
Wang Q (Wang Qiang)
;
Li YG (Li Yuguo)
;
Xue CS (Xue Chengshan)
;
Zhuang HZ (Zhuang Huizhao)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
ion implantation
annealing
chemical etching
photoluminescence
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
Capacitance-voltage spectroscopy of In0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots in double quantum wells under selective photo-excitation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 760-762
Li GR
;
Zheng HZ
;
Yang FH
;
Hu CY
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
STATES
Capacitance-voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 822-825
作者:
Tan PH
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浏览/下载:73/4
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提交时间:2010/08/12
RESONANT-TUNNELING DIODES
DOTS
HOLES
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Xu B
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
bimodal distribution
photoluminescence (PL)
quantum-size effect
GE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs/InGaAlAs
adjusting layer
molecular beam epitaxy
high index
GAAS
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531
作者:
Xu B
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
bimodal distribution
photoluminescence (PL)
quantum-size effect
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
GE
Quantum interference effect in GaAs/AlGaAs double quantum wells
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 372-375
Wang XH
;
Yu Q
;
Laiho R
;
Li CF
;
Liu JA
;
Yang XP
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
quantum effect
GaAs
quantum wells
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