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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展 期刊论文 半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 417-422 作者:  张明兰 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16 AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟 期刊论文 半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 874-876,902 作者:  张明兰 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2011/08/16 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 期刊论文 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Properties of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonids 期刊论文 rare metals, 1998, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 161 彭瑞伍; 丁永庆; 徐晨梅; 王占国 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 低温分子束外延GaAs薄膜的研究 期刊论文 半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 317 邓航军; 范缇文; 王占国; 梁基本; 朱战萍; 李瑞钢 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11 毕瑜; 曲胜春; 谭付瑞; 王占国 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/11/17