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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 16, 页码: art.no.161110 Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：142/33  |  提交时间：2010/03/08 Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires 期刊论文 advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937 Han XB; Kou LZ; Lang XL; Xia JB; Wang N; Qin R; Lu J; Xu J; Liao ZM; Zhang XZ; Shan XD; Song XF; Gao JY; Guo WL; Yu DP 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/04 QUANTUM WIRES  SI SUBSTRATE  STRAIN  ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：65/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者:  Wei HY;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：235/41  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  conduction bands  energy gap  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  magnesium compounds  passivation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Effect of Anode Floating Voltage and its Applications in Characterizing Silicon Drift Detectors 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 042901 Wu GG; Li HR; Liang K; Yang R; Cao XL; Wang HY; An JM; Hu XW; Han DJ 收藏  |  浏览/下载：76/31  |  提交时间：2010/03/08 GAMMA-RAY SPECTROSCOPY  X-RAY  SPECTROMETERS   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：161/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310 作者:  Ye XL;  Pan JQ;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：127/30  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MULTIATOMIC STEPS  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  EPITAXY   Structural and Magnetic Properties of Sm Implanted GaN 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 077502 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：59/1  |  提交时间：2010/03/08