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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902 Zhang Q; Wang XQ; He XW; Yin CM; Xu FJ; Shen B; Chen YH; Wang ZG; Ishitani Y; Yoshikawa A 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  nondestructive testing  photoconductivity  radiation effects  semiconductor thin films  wide band gap semiconductors   Ballistic electron transport in hybrid ferromagnet/two-dimensional electron gas sandwich nanostructure: Spin polarization and magnetoresistance effect 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 1, 页码: art. no. 013708 作者:  Zhang XW;  Wang Y 收藏  |  浏览/下载：380/132  |  提交时间：2010/03/08 BARRIER STRUCTURE  2DEG-FERROMAGNET STRUCTURE  GIANT MAGNETORESISTANCE  MAGNETIC BARRIERS  MAGNETOCONDUCTANCE  INJECTION   Effect of Anode Floating Voltage and its Applications in Characterizing Silicon Drift Detectors 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 042901 Wu GG; Li HR; Liang K; Yang R; Cao XL; Wang HY; An JM; Hu XW; Han DJ 收藏  |  浏览/下载：78/31  |  提交时间：2010/03/08 GAMMA-RAY SPECTROSCOPY  X-RAY  SPECTROMETERS   Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510 Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li SS (Li Shu-Shen); Luo JW (Luo Jun-Wei); Wang LW (Wang Lin-Wang) 收藏  |  浏览/下载：159/62  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRONIC-STRUCTURE   Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  You JB 收藏  |  浏览/下载：101/13  |  提交时间：2010/03/08 atomic force microscopy  field emission  hydrogen  II-VI semiconductors  plasma materials processing  sputter deposition  wide band gap semiconductors  work function  zinc compounds   Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 25, 页码: art. no. 252905 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/08 high-k dielectric thin films  MOS capacitors  work function