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科研机构
山东大学 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2003 [7]
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发表日期:2003
专题:山东大学
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Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2003, 期号: 01, 页码: 21-23
作者:
于永芹,张晓阳,黄柏标,尉吉勇,周海龙,潘教青,秦晓燕,任忠祥
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提交时间:2020/01/03
GaAs
in
or
of
Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE
MQW
by
GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响
期刊论文
量子电子学报, 2003, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 125-128
作者:
周海龙
;
黄伯标
;
潘教青
;
于永芹
;
尉吉勇
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提交时间:2020/01/03
发光二极管
稳定性
厚度
砷化镓
薄膜
化学气相沉积法
MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱
期刊论文
光电子·激光, 2003, 期号: 3
作者:
于永芹
;
黄柏标
;
尉吉勇
;
潘教青
;
周海龙
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提交时间:2020/01/03
InGaAs/Al0.2Ga0.8As
多量子阱(MQWs)
MOCVD
MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing
期刊论文
光电子·激光, 2003, 卷号: 14, 期号: 3
作者:
Yu,Yongqin
;
Huang,Baibiao
;
Wei,Jiyong
;
Pan,Jiaoqing
;
Zhou,Hailong
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提交时间:2020/01/03
多量子阱
In组分
MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文)
期刊论文
光电子·激光, 2003, 期号: 03, 页码: 244-247+260
作者:
于永芹,黄柏标,尉吉勇,潘教青,周海龙,岳金顺,李树强,张晓阳,秦晓燕,陈文澜,齐云,王笃祥,任忠祥
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提交时间:2020/01/03
InGaAs/Al0.2Ga0.8As
多量子阱(MQWs)
MOCVD
InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响
期刊论文
量子电子学报, 2003, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 345-349
作者:
于永芹
;
黄柏标
;
尉古勇
;
潘教青
;
周海龙
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提交时间:2020/01/03
InGaAs/AlGaAs量子阱
量子尺寸效应
应变效应
Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE
期刊论文
中国光学快报(英文版), 2003, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 21-23
作者:
Yu YQ(于永芹)
;
Zhang XY(张晓阳)
;
Huang BB(黄柏标)
;
Wei JY(尉吉勇)
;
Zhou HL(周海龙)
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提交时间:2020/01/14
multiple quantum wells
strain compensation
misfit dislocation
room temperature
epitaxial layers
strain relief
vapor phase
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