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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  ENERGY   Photoluminescence and capacitance transients in highly Mg-doped GaN 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444 Lu L; Yang CL; Yan H; Yang H; Wang Z; Wang J; Ge W 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  BAND  LUMINESCENCE  ZNSE   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：87/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 transmission electron microscopy  X-ray diffraction  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic vapor phase epitaxy  cubic gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC GAN  PHASE EPITAXY  REDUCTION  GROWTH   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：94/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE   Surface morphology of ion-beam deposited carbon films under high temperature 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 2002, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 2072-2074 Liao MY; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Qin FG; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 ENERGY  NANOTUBES  SILICON  GROWTH   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION