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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of {111}a and {111} planes of c-gan epilayers grown on gaas(001) by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds   Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Chemical vapor deposition processes  Silicon carbide   X-ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic gan layers grown on (001)gaas substrate 期刊论文 Thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Liu, SA 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  X-ray diffraction   Photoluminescence of rapid-thermal annealed mg-doped gan films 期刊论文 Solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 作者:  Wang, LS;  Fong, WK;  Surya, C;  Cheah, KW;  Zheng, WH 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 P-type gan  Metalorganic chemical vapor deposition  Photoluminescence  X-ray diffraction  Rapid-thermal annealing   Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in gan/gaas(001) epilayers measured by conventional x-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Lin, SM;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Defects  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Microtwins and twin inclusions in the 3c-sic epilayers grown on si(001) by apcvd 期刊论文 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 3c-sic  Microtwins  X-ray four-circle diffractometer  Apcvd   Epitaxial lateral overgrowth of cubic gan by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49 作者:  Fu, Y;  Yang, H;  Zhao, DG;  Zheng, XH;  Li, SF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Sem  Epitaxial lateral overgrowth  Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan   Structural characterization of cubic gan grown on gaas(001) substrates 期刊论文 Chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Yang, H;  Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Cubic gan  X-ray double crystal diffraction  Structural characteristics   Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal x-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic gan/gaas(001) epilayers 期刊论文 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Four-circle diffraction  Gan  Phase content   Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：85/11  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS