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科研机构
西安光学精密机械研究... [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
1992 [4]
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发表日期:1992
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Semiconductor element
专利
专利号: JP1992350976A, 申请日期: 1992-12-04, 公开日期: 1992-12-04
作者:
WATABE SHINICHI
;
TADATOMO KAZUYUKI
;
SUKEGAWA TOKUZO
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light-emitting element
专利
专利号: JP1992316374A, 申请日期: 1992-11-06, 公开日期: 1992-11-06
作者:
WATABE SHINICHI
;
TADATOMO KAZUYUKI
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor material having si-doped gainp cap layer
专利
专利号: JP1992278522A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05
作者:
MAEDA SHIGEO
;
TOYAMA OSAMU
;
WATABE SHINICHI
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor material provided with si-doped gainp layer
专利
专利号: JP1992269876A, 申请日期: 1992-09-25, 公开日期: 1992-09-25
作者:
MAEDA SHIGEO
;
WATABE SHINICHI
;
TADATOMO KAZUYUKI
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/31
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