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半导体研究所 [233]
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Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 359, 页码: 55-59
Li LG (Li, Li-Gong)
;
Liu SM (Liu, Shu-Man)
;
Luo S (Luo, Shuai)
;
Yang T (Yang, Tao)
;
Wang LJ (Wang, Li-Jun)
;
Liu JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Liu FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Ye XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Xu B (Xu, Bo)
;
Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/26
Formation of rippled surface morphology during si/si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Hu Wei-Xuan
;
Cheng Bu-Wen
;
Xue Chun-Lai
;
Su Shao-Jian
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Step-bunching
Ehrlich-chwoebel barrier
Elastic repulsion
Fluctuation
Growth of sno2 nanoparticles via thermal evaporation method
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2011, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 511-516
作者:
Li, Yuguo
;
Peng, Ruiqin
;
Xiu, Xianwu
;
Zheng, Xuelei
;
Zhang, Xiaosen
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2019/05/12
Oxides
Crystal growth
Growth mechanism
Luminescence
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates
期刊论文
Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Wei, Meng
;
Wang, Xiaoliang
;
Pan, Xu
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7
作者:
Li, Tianfeng
;
Chen, Yonghai
;
Lei, Wen
;
Zhou, Xiaolong
;
Luo, Shuai
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r-plane sapphire by mocvd
期刊论文
Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 7
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Xu, Xiaoqing
;
Liu, Jianming
;
Wang, Jun
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1)
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
作者:
Wei, Meng
;
Wang, Xiaoliang
;
Pan, Xu
;
Xiao, Hongling
;
Wang, CuiMei
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Mocvd
Si(111)
Aln
Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Wang, Jun
;
Jia, Caihong
;
Liu, Jianming
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
A-plane inn
Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
作者:
Wang, Wei
;
Su, Shaojian
;
Zheng, Jun
;
Zhang, Guangze
;
Xue, Chunlai
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2019/05/12
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
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