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半导体研究所 [171]
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期刊论文 [151]
会议论文 [20]
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2011 [10]
2010 [6]
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Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
收藏
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:35/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
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