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半导体研究所 [36]
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Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: 10
作者:
Jiang, Xiang-Wei
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
;
Wang, Lin-Wang
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Direct detection of the relative strength of rashba and dresselhaus spin-orbit interaction: utilizing the su(2) symmetry
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Li, Jun
;
Chang, Kai
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of band bending and polarization on the valence band offset measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Xu, Xiaoqing
;
Liu, Xianglin
;
Guo, Yan
;
Wang, Jun
;
Song, Huaping
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum mechanical study on tunnelling and ballistic transport of nanometer si mosfets
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Deng Hui-Xiong
;
Jiang Xiang-Wei
;
Tang Li-Ming
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of band bending and polarization on the valence band offset measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 10, 页码: art. no. 104510
Xu XQ (Xu Xiaoqing)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Song HP (Song Huaping)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:182/49
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提交时间:2010/06/18
PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY
PRECISE DETERMINATION
GA-FACE
SURFACE
ALN
HETEROJUNCTIONS
DISCONTINUITY
LEVEL
Direct detection of the relative strength of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interaction: Utilizing the SU(2) symmetry
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 033304
Li J (Li Jun)
;
Chang K (Chang Kai)
收藏
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浏览/下载:61/1
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提交时间:2010/08/17
RELAXATION ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTORS
SYSTEMS
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
收藏
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浏览/下载:102/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏
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浏览/下载:213/46
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提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
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