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半导体研究所 [43]
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专题:半导体研究所
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Dynamics of dense spin ensemble excited in a barrier layer and detected in a well
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1108-1111
作者:
Zhu H
;
Wang LG
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2011/07/05
spin polarized transport
optical orientation
dense spin relaxation
quantum well
TRANSPORT
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:56/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Squeeze effect and coherent coupling behaviour in photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: article no.115104
作者:
Jiang B
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浏览/下载:60/6
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提交时间:2011/07/06
SINGLE-TRANSVERSE-MODE
POWER
POLARIZATION
OXIDATION
OPTICAL AMPLIFICATION BASED ON SLOW LIGHT EFFECTS IN THE PHOTONIC CRYSTAL WAVEGUIDE
期刊论文
microwave and optical technology letters, 2011, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 2997-3001
Zhang YJ
;
Zheng WH
;
Qi AY
;
Qu HW
;
Chen LH
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/02/06
POLARIZATION
AMPLIFIER
LASERS
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/01/06
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ALGAN/GAN
POLARIZATION
PASSIVATION
HFETS
GHZ
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Yan, J. C.
;
Wang, J. X.
;
Zeng, Y. P.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Electron gas
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Mocvd
Polarisation
Semiconductor doping
Semiconductor thin films
Wide band gap semiconductors
Spin injection in the multiple quantum-well LED structure with the Fe/AlO (x) injector
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 649-653
Wu H (Wu Hao)
;
Zheng HZ (Zheng HouZhi)
;
Liu J (Liu Jian)
;
Li GR (Li GuiRong)
;
Xu P (Xu Ping)
;
Zhu H (Zhu Hui)
;
Zhang H (Zhang Hao)
;
Zhao JH (Zhao JianHua)
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浏览/下载:81/2
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提交时间:2010/05/04
spintronics
spin injection
light emitting diode
multiple quantum well
SEMICONDUCTOR SPINTRONICS
Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104
Hao GD (Hao Guo-Dong)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Fan YM (Fan Ya-Ming)
;
Huang XH (Huang Xiao-Hui)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/12/28
LIGHT-EMITTING-DIODES
WURTZITE SEMICONDUCTORS
QUANTUM-WELLS
MATRIX-ELEMENTS
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703
Wang Y (Wang Y.)
;
Jiang Y (Jiang Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/14
BARRIER STRUCTURE
MAGNETIC-FIELD
POLARIZATION
CONDUCTANCE
DEVICE
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:146/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
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