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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band gap narrowing in heavily b doped si1-xgex strained layers 期刊论文 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659 作者:  Yao Fei;  Xue Chun-Lai;  Cheng Bu-Wen;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Sige layer  Strain  Band gap narrowing  Jain-roulston model   Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of sigehbts 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895 作者:  Yao, Fei;  Xue, Chun-Lai;  Cheng, Bu-Wen;  Wang, Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of heavily doped boron on bandgap narrowing of strained sige layers 期刊论文 Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1686-1689 作者:  Yao Fei;  Xue Chun-Lai;  Cheng Bu-Wen;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Band gap narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659 Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/29 SiGe layer   Effect of heavily doped boron on bandgap narrowing of strained SiGe layers 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1686-1689 Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/29 TRANSISTORS   Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of SiGeHBTs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895 Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/29 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS   Strain effect on the band structure of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 11, 页码: 6264-6265 作者:  Wang HL;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  band structure  relaxation  GAAS  TEMPERATURE