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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [13]
专利 [3]
学位论文 [3]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2005 [2]
2003 [1]
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专题:半导体研究所
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4H-SiC快速外延生长研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
刘斌
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2015/06/02
4H-SiC
碳化硅
快速外延生长
Fast Epitaxial Growth
高性能硅基锗光电探测器的研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
薛海韵
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浏览/下载:307/0
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提交时间:2011/06/01
硅基光子学
硅基锗光电探测器
吸收区倍增区分离的雪崩光电二极管
共振腔增强型
波导型
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 1027-1031
周文政
;
代娴
;
林铁
;
商丽燕
;
崔利杰
;
曾一平
;
褚君浩
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2011/08/16
外延生长Gel-xSnx合金的研究进展
期刊论文
材料导报, 2010, 卷号: 24, 期号: 11上, 页码: 90-93,117
作者:
左玉华
;
汪巍
;
胡炜玄
;
张广泽
;
成步文
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2011/08/16
宽禁带半导体碳化硅(SiC)快速生长及多片大面积外延技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
纪刚
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2009/04/13
快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1749-1752
作者:
吴东海
;
徐应强
;
牛智川
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-493
尚也淳
;
刘忠立
;
孙国胜
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/23
低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究
期刊论文
核技术, 2003, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 823-826
曾宇昕
;
程国安
;
王水凤
;
肖志松
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
铟镓氮薄膜的光电特性
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
作者:
韩培德
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371
作者:
Wang J
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
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