低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究

	低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究
	曾宇昕 ; 程国安 ; 王水凤 ; 肖志松
刊名	核技术
	2003
卷号	26 期号:11 页码:823-826
中文摘要	采用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中，经高温快速退火处理，制备了结晶良好的钕硅掺杂层。用扫描电子显微镜（SEM）、反射式高能电子衍射（RHEED）和X射线衍射（XRD）分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化。研究结果表明，经高温热处理，注入层形成结晶良好的钕硅化合物，出现由Nd_5Si_4相向NdSi相转变的趋势。并对其转变过程进行了初步探讨。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（69766 1）资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17761]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	曾宇昕,程国安,王水凤,等. 低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究[J]. 核技术,2003,26(11):823-826.
APA	曾宇昕,程国安,王水凤,&肖志松.(2003).低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究.核技术,26(11),823-826.
MLA	曾宇昕,et al."低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究".核技术 26.11(2003):823-826.