快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

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	快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
	Wang J
刊名	物理学报
	2002
卷号	51 期号:2 页码:367-371
中文摘要	研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射中心，提高77K光致发光效率和有源层电子发射。同时Al和Ga原子互扩散，也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度。RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加。这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一。
英文摘要	研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射中心，提高77K光致发光效率和有源层电子发射。同时Al和Ga原子互扩散，也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度。RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加。这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:41导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4992.pdf: 365346 bytes, checksum: 4c60c2bd9ab6a5a32eed3cba9c70401e (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号：6 76 8）,国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学HKUST6135/97P资助的课题; 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所光电子工程中心;香港科技大学物理系
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（批准号：6 76 8）,国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学HKUST6135/97P资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17891]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang J. 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响[J]. 物理学报,2002,51(2):367-371.
APA	Wang J.(2002).快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响.物理学报,51(2),367-371.
MLA	Wang J."快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响".物理学报 51.2(2002):367-371.