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| 3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制 期刊论文
大功率变流技术, 2016
作者: 高云斌; 吴煜东; 申华军 ; 彭朝阳; 刘新宇
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2017/05/08 |
| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110021062.7, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2012-07-18
作者: 罗军; 赵超
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| SiC肖特基势垒二极管的研制及可靠性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 于海龙
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/09/06 |
| SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02
作者: 汤益丹; 白云; 李博; 刘新宇; 周静涛
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| SiC肖特基势垒二极管关键工艺开发与器件研制 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩林超
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2017/09/29 |
| 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法 专利
专利号: CN200910078557.6, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2010-08-25
作者: 赵妙; 王鑫华; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2016/10/12 |
| 杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制 期刊论文
半导体技术, 2013
作者: 罗军; 毛淑娟; 闫江
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2014/10/30 |
| 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 专利
专利号: CN200910077528.8, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2010-07-21
作者: 柳江; 刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 一种指数掺杂的砷化镓平面肖特基变容二极管的设计与制作 期刊论文
电子器件, 2011
作者: 田超
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2012/11/14 |
