本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，其特征在于：由镍基金属硅化物构成源漏区，镍基金属硅化物中具有抑制镍金属扩散的掺杂离子；镍基金属硅化物/沟道区的界面处还具有掺杂离子的聚集区，聚集区位于隔离侧墙下方且未进入所述沟道区。分布在镍基金属硅化物里面和聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子可以阻止镍基金属硅化物的横向生长，因此可防止源漏穿通或栅极泄漏电流，从而提高器件可靠性，进一步提高了产品良率。此外，聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子还可以降低肖特基势垒，从而进一步提高器件的响应速度。