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一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法 专利
申请日期: 2021-10-08,
作者:  孙静;  刘海涛;  李小龙;  荀明珠;  于钢
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/02
P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:  王思源1,2;  孙静2;  陆妩1,2
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/03/09
高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究（英文） 期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2175-2182
作者:  马函1,2;  孙静1;  何承发1;  荀明珠1
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2022/01/25
TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09
一种基于PMOS剂量计的多点测量方法 专利
申请日期: 2019-09-10,
作者:  孙静;  郭旗;  陆妩;  余学峰;  何承发
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/25
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/07/15
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03
A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs 期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5
作者:  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ];  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/03/20
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/07/06
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/10/18

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