已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006 作者: Ren, Yu; Yang, Xu; Zhang, Fan; Wang, Fei; Tolbert, Leon M. 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/11/19
|
| 一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-02, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-02, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-01-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2018 作者: Qi, Jinwei; Yang, Xu; Li, Xin; Tian, Kai; Mao, Zhangsong 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/19
|
| A Modified Single Pulse Method for Transient Thermal Impedance (TTI) Measurement of VDMOSFET Relates Gate Bias to the TTI Results 期刊论文 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2018, 卷号: 18, 页码: 383-391 作者: Tang, Yankun 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/11/19
|
| Paralleled GaN DHEMTs integrated cascode GaN switch for high-current applications 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2018, 卷号: 54, 页码: 899-900 作者: Zhu, Tianhua; Zhuo, Fang 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/11/19
|
| 功率器件封装中铝线键合工艺的提升及可靠性研究 学位论文 2018 作者: 蒲文斌 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/11/26
|