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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation on secondary electron emission characteristics of double-layer structures 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2021, 卷号: 129, 期号: 9 作者:  Wang, Dan;  He, Yongning;  Guo, Junjiang;  Cai, Yahui;  Mao, Zhangsong 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2021/03/30 Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2018 作者:  Qi, Jinwei;  Yang, Xu;  Li, Xin;  Tian, Kai;  Mao, Zhangsong 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Cryogenic temperatures  Dynamic resistance  High-efficiency power conversions  High-frequency applications  Power conversion systems  SiC MOSFET  Switching characterization  Temperature applications   Characterization of 1.2 kV 4H-SiC power MOSFETs and Si IGBTs at cryogenic and high temperatures 会议论文 作者:  Tian, Kai;  Qi, Jinwei;  Mao, Zhangsong;  Yang, Song;  Song, Wenjie 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/19 Cryogenic temperatures  High temperature  Interface traps  Switching characteristics  Switching performance  Transfer characteristics  Trench mosfets  Wide temperature ranges   Dynamic Performance of 4H-SiC Power MOSFETs and Si IGBTs over Wide Temperature Range 会议论文 作者:  Qi, Jinwei;  Tian, Kai;  Mao, Zhangsong;  Yang, Song;  Song, Wenjie 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 MOSFETs  dynamic on-resistance  silicon carbide (SiC)  cryogenic temperature  switching transient