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北京大学 [16]
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其他 [10]
期刊论文 [6]
发表日期
2014 [1]
2013 [1]
2011 [4]
2010 [4]
2009 [4]
2008 [2]
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85
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Investigation of strain effect on the hole mobility in GOI tri-gate pFETs including quantum confinement
期刊论文
chinese physics b, 2014
Qin Jie-Yu
;
Du Gang
;
Liu Xiao-Yan
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
strain
quantum effect
tri-gate
GOI
BAND-STRUCTURE
SILICON
THICKNESS
NANOWIRES
LAYER
The effects of strain and surface roughness scattering on the quasi-ballistic characteristics of a Ge nanowire p-channel field-effect transistor
期刊论文
chinese physics b, 2013
Qin Jie-Yu
;
Du Gang
;
Liu Xiao-Yan
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
nanowire
strain
surface roughness scattering
quasi-ballistic
CARRIER TRANSPORT
QUANTUM DOTS
SILICON
DISTRIBUTIONS
DEPENDENCE
THICKNESS
GERMANIUM
MOBILITY
STRESS
MODEL
Surrounding Strain Effects on the Performance of Si Nanowires Grown in Different Axial Orientations
期刊论文
ieee 纳米技术汇刊, 2011
Xu, Honghua
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Fan, Chun
;
Jin, Rui
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
Effective hole mobility
k.p method
Kubo-Greenwood formula
strain tensor component
surrounding strain
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
BAND-STRUCTURE
SILICON
GATE
OXIDATION
MOBILITY
Influence of radial stress on the performance of gate-all-around Ge(110) NW FETs with HfO2 dielectric
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2011
Xu Honghua
;
Liu Xiaoyan
;
Du Gang
;
He Yuhui
;
Fan Chun
;
Han Ruqi
;
Kang Jinfeng
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Influence of Radial Stress on the Performance of Gate-All-Around Ge(110) NW FETs with HfO2 Dielectric
其他
2011-01-01
Xu, Honghua
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
He, Yuhui
;
Fan, Chun
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
Radial Stress
Strain Tensor Distribution
Valence Subband
Hole Mobility
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
LAYER
NANOWIRES
DEVICES
STRAIN
IMPACT
Influence of radial stress on the performance of gate-all-around Ge(110) NW FETs with HfO2 dielectric
其他
2011-01-01
Xu, Honghua
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
He, Yuhui
;
Fan, Chun
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire
其他
2010-01-01
Xu, Honghua
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Zhao, Yuning
;
He, Yuhui
;
Fan, Chun
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GROWTH
GERMANIUM
SILICON
VAPOR
Valence band variation in Si (110) nanowire induced by a covered insulator
期刊论文
chinese physics b, 2010
Xu Hong-Hua
;
Liu Xiao-Yan
;
He Yu-Hui
;
Fan Chun
;
Du Gang
;
Sun Ai-Dong
;
Han Ru-Qi
;
Kang Jin-Feng
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/13
silicon nanowire
valence band
thermal residual strain
THERMAL-EXPANSION
SILICON
MOBILITY
STRAIN
Influence of Boundary Force on the Performance of Gate-all-around Ge (110) NW FETs with HfO(2) Gate Insulator
其他
2010-01-01
Xu, Honghua
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
He, Yuhui
;
Fan, Chun
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Influence of boundary force on the performance of gate-all-around Ge (110) nw fets with HfO2 gate insulator
其他
2010-01-01
Xu, Honghua
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
He, Yuhui
;
Fan, Chun
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/13
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