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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Plasmonic photoluminescence for recovering native chemical information from surface-enhanced Raman scattering 其他 2017-03-01 Kai-Qiang Lin; 林楷强; Jun Yi; 易骏; Jin-Hui Zhong; Shu Hu; Bi-Ju Liu; Jun-Yang Liu; Cheng Zong; Zhi-Chao Lei; Xiang Wang; 王翔; Javier Aizpurua; Rubén Esteban; Bin Ren; 任斌 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/04/07 Enhancement of bandgap emission of Pt-capped MgZnO films: Important role of light extraction versus exciton-plasmon coupling 期刊论文 2012 Yang, W. F.; Xie, Y. N.; Liao, R. Y.; Sun, J.; Wu, Z. Y.; 吴正云; Wong, L. M.; Wang, S. J.; Wang, C. F.; Lee, Alex Y. S.; Gong, H. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/03/21 提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses 期刊论文 2010 Hu, Xiao-Long; 胡晓龙; Zhang, Jiang-Yong（State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences）; Shang, Jing-Zhi（Nanyang Technol Univ, Div Phys & Appl Phys）; Liu, Wen-Jie; 刘文杰; Zhang, Bao-Ping; 张保平 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/04/26 exciton-longitudinal-optical-phonon  InGaN/GaN single quantum well  GaN cap layer  Huang-Rhys factor