QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial Growth of Germanium on Silicon for Light Emitters 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1155/2012/768605, 2012 Chen, Chengzhao; Li, Cheng; Huang, Shihao; Zheng, Yuanyu; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GE  THREADING-DISLOCATION DENSITIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SI  LAYERS  INTEGRATION  TRANSISTORS  INSULATOR   Depth-dependent etch pit density in Ge epilayer on Si substrate with a self-patterned Ge coalescence island template 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.09.023, 2012 Huang, Shihao; Li, Cheng; Zhou, Zhiwen; Chen, Chengzhao; Zheng, Yuanyu; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 THREADING-DISLOCATION DENSITIES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LAYERS  GROWTH  REDUCTION  SILICON  FILMS  PHOTODETECTORS  SURFACTANT  GERMANIUM   Epitaxial Growth of Germanium on Silicon for Light Emitters 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1155/2012/768605, 2012 Chen, Chengzhao; Li, Cheng; Huang, Shihao; Zheng, Yuanyu; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GE  THREADING-DISLOCATION DENSITIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SI  LAYERS  INTEGRATION  TRANSISTORS  INSULATOR   Depth-dependent etch pit density in Ge epilayer on Si substrate with a self-patterned Ge coalescence island template 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.09.023, 2012 Huang, Shihao; Li, Cheng; Zhou, Zhiwen; Chen, Chengzhao; Zheng, Yuanyu; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 THREADING-DISLOCATION DENSITIES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LAYERS  GROWTH  REDUCTION  SILICON  FILMS  PHOTODETECTORS  SURFACTANT  GERMANIUM   Thermal stability of SiGe films on an ultra thin Ge buffer layer on Si grown at low temperature 期刊论文 2010 LiCheng; 李成; LaiHongkai; 赖虹凯; ChenSongyan; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/04/26 Thermal stability  SiGe  LT-Ge  Strain relaxation   AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on AlN/sapphire Template 期刊论文 2009 Yang,WH; Li,SP; Zhang,GY; Chen,HY; Shen,B; Xu,ZY; Zhang,YZ; Kang,JY; Sang,LW; Li,T; Yang,ZJ; Qin,ZX; Liu,DY; Fang,H; 李书平 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 285 NM  EMISSION   AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on AlN/sapphire Template 期刊论文 2009 Sang, L. W.; Qin, Z. X.; Fang, H.; Zhang, Y. Z.; Li, T.; Xu, Z. Y.; Yang, Z. J.; Shen, B.; Zhang, G. Y.; Li, S. P.; Yang, W. H.; Chen, H. Y.; Liu, D. Y.; Kang, J. Y.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 285 NM  EMISSION   Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.075, 2008 Cai, K. H.; Li, C.; Zhang, Y.; Xu, J. F.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 THREADING DISLOCATION DENSITIES  ON-INSULATOR LAYERS  GEXSI1-X LAYERS  GE  RELAXATION   The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.01.016, 2008 Zhou, Z. W.; Li, C.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; Yu, J. Z.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 THREADING-DISLOCATION DENSITIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SI  RELAXATION  SI(001)  FILMS  SURFACTANT  BARRIER   The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.01.016, 2008 Zhou, ZW; Li, C; Lai, HK; Chen, SY; Yu, JZ; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 THREADING-DISLOCATION DENSITIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SI  RELAXATION  SI(001)  FILMS  SURFACTANT  BARRIER