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Improving the signal resolution of semiconductor gas sensors to high-concentration gases
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 162, 页码: 7
作者:
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Liping
;
Bian, Yuzhi
;
Wang, Ying
;
Han, Ning
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/03/24
Metal oxide gas sensor
Field-effect transistor
High-concentration
Signal resolution
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
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  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2019/06/21
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
作者:
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Ren, DY (Ren Di-Yuan)
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2018/01/26
Reliability
Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor
Total Ionizing Dose Effect
Electrical Stress
A tunnel-induced injection field-effect transistor with steep subthreshold slope and high on-off current ratio
期刊论文
应用物理学快报, 2012
Zhan, Zhan
;
Huang, Qiandian
;
Huang, Ru
;
Jiang, Wenzhe
;
Wang, Yangyuan
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
High-performance doping-free carbon-nanotube-based CMOS devices and integrated circuits
期刊论文
科学通报 英文版, 2012
Zhang ZhiYong
;
Wang Sheng
;
Peng LianMao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
carbon nanotube
field-effect transistor
doping-free
complementary metal-oxide-semiconductor
high frequency
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
HIGH-KAPPA DIELECTRICS
ELECTRICAL-TRANSPORT
AMBIPOLAR TRANSISTOR
LOGIC GATES
ELECTRONICS
CONTACTS
ARRAYS
NANOELECTRONICS
MOBILITY
Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Cui Jiang-Wei
;
Lan Bo
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Co-60 gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
崔江维
;
兰博
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
60Co gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
期刊论文
ULTRAMICROSCOPY, 2008, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: 816
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Xu, QX
;
Liu, BG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/24
LAYER SUPERLATTICES
MOBILITY ENHANCEMENT
ELASTIC RELAXATION
SPECIMENS
CRYSTALS
Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 26
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Qi, XY
;
Xu, QX
;
Li, HO
;
Qian, H
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/24
MOBILITY ENHANCEMENT
LAYER SUPERLATTICES
ELASTIC RELAXATION
SPECIMENS
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