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半导体研究所 [83]
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期刊论文 [83]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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A Novel Silicon Carbide Accumulation Channel Injection Enhanced Gate Transistor With Buried Barrier Under Shielding Region
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 7, 页码: 941-944
作者:
Zhengxin Wen
;
Feng Zhang
;
Member
;
IEEE
;
Zhanwei Shen
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/06/01
Spin transport and accumulation in the persistent photoconductor Al0.3Ga0.7As
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 15, 页码: 152408
Misuraca, Jennife
;
Kim, Joon-Il
;
Lu, Jun
;
Meng, Kangkang
;
Chen, Lin
;
Yu, Xuezhe
;
Zhao, Jianhua
;
Xiong, Peng
;
von Molnar, Stephan
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2013/08/27
Low-Temperature Performance of Accumulation-Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2013, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 804-807
Zhang, Yanbo
;
Du, Yandong
;
Chen, Yankun
;
Li, Xiaoming
;
Yang, Xiang
;
Han, Weihua
;
Yang, Fuhua
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2013/10/08
Generating and reversing spin accumulation by temperature gradient in a quantum dot attached to ferromagnetic leads
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 077301
Bai, Xu-Fang
;
Chi, Feng
;
Zheng, Jun
;
Li, Yi-Nan
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/05/07
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Separation by oxygen implantation
Buried oxide
Nitrogen implantation
Positive charge density
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Formation of silicon nanocrystals embedded in high-kappa dielectric HfO2 and their application for charge storage
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: article no.21018
Li WL
;
Jia R
;
Chen C
;
Li HF
;
Liu XY
;
Yue HH
;
Ding WC
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Hashizume T
;
Wu NJ
;
Xu BS
收藏
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2011/07/05
SI NANOCRYSTALS
MEMORY
TECHNOLOGY
DEPOSITION
VOLTAGE
LAYER
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 94001
Zhang, Yanbo
;
Du, Yandong
;
Xiong, Ying
;
Yang, Xiang
;
Han, Weihua
;
Yang, Fuhua,
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/06/14
Carrier concentration
Electric fields
Fins(heat exchange)
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