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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
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0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文
物理学报, 2011, 期号: 11
刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/13
SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较 期刊论文
电子器件, 2010, 期号: 04
何玉娟; 罗宏伟; 恩云飞; 张正选
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06
工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 期号: 03
汪海波; 俞沁聪; 刘卫丽; 宋志棠; 张楷亮
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06
部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文) 期刊论文
高能物理与核物理, 2007, 期号: 09
俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06
SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究 期刊论文
半导体技术, 2006, 期号: 05
何玉娟; 师谦; 李斌; 林丽; 张正选
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06
SOI材料与器件的辐照效应 期刊论文
微电子学, 1994, 期号: 06
竺士炀; 林成鲁
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/29

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