SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较

	SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较
	何玉娟 ; 罗宏伟 ; 恩云飞 ; 张正选
刊名	电子器件
	2010
期号	04
关键词	晶圆键合氮化镓发光二极管剥离
ISSN号	1005-9490
中文摘要	为进行10keVX射线和60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI(Silicon-on-Insulator)n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,SOINMOS器件的前栅特性中X射线与60Coγ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×106rad(Si)时,前栅器件α值为0.6～0.75,背栅器件α值为0.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52531]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	何玉娟,罗宏伟,恩云飞,等. SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较[J]. 电子器件,2010(04).
APA	何玉娟,罗宏伟,恩云飞,&张正选.(2010).SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较.电子器件(04).
MLA	何玉娟,et al."SOI器件X射线与~(60)Co γ射线总剂量效应比较".电子器件 .04(2010).