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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
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内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/03/09
AlGaN
GaN template
A1N interlayer
MOCVD
crack
interference fringes
Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Hsu CC
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/10/29
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
会议论文
50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Jiang DS
;
Wang HL
;
Wang HL
;
Wang HL
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
superlattices
GaAs/AlAs
electric field domains
tunnelling
OSCILLATIONS
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/11/15
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
作者:
Liu J
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
GaAs/AlAs
superlattices
transport
tunnelling
Landau level
NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
LOW-FIELD MOBILITY
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
LOCALIZATION
MINIBANDS
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