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ZnO基II型同轴纳米线阵列的光学性质研究 学位论文
2016, 2016
郑晅丽
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2017/06/20
ZnO基Ⅱ型同轴纳米线可控合成及其光伏应用 学位论文
2016, 2015
WASEEM AHMED BHUTTO
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ZnO/ZnCdSe同轴纳米线制备及其光伏应用 学位论文
2016, 2015
罗强
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2017/06/20
ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP4040135B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
作者:  西野 勇;  梅津 一之;  佐川 徹
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者:  横川 俊哉;  熊渕 康仁
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
Znte基和ZnSe基复合结构的光学性质 学位论文
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2005
作者:  金华
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2012/03/21
在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 期刊论文
中国激光, 2004, 期号: 03, 页码: 297-300
王晓华; 范希武; 单崇新; 张振中; 刘益春
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2013/03/11
ZnCdSe量子点的制备及其表征 学位论文
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2004
作者:  单崇新
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2012/03/21
半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者:  横川 俊哉;  吉井 重雄
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Si衬底上ZnSe,ZnTe薄膜及其量子阱的LP-MOCVD生长和光学特性 学位论文
博士, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2003
王晓华
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