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| Hetero-integration of dissimilar semiconductor materials 专利
专利号: US6495385, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17
作者: XIE, YA-HONG
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| Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers 专利
专利号: GB2344932A, 申请日期: 2000-06-21, 公开日期: 2000-06-21
作者: STEPHEN PETER NAJDA
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| Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction 专利
专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者: HUANG, JENN-HWA; TEHRANI, SAIED N.
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP2751306B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者: 山腰 茂伸
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者: 深谷 一夫
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP2643127B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者: 下林 隆; 伊藤 直行
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者: 麻多 進
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| 赤外半導体レ-ザ 专利
专利号: JP2529854B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-09-04
作者: 鈴木 正敏; 久代 行俊; 宇高 勝之; 秋葉 重幸; 松島 裕一
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| - 专利
专利号: JP1993063105B2, 申请日期: 1993-09-09, 公开日期: 1993-09-09
作者: ASATA SUSUMU
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| Double hetero-junction structure and semiconductor laser element 专利
专利号: JP1992333291A, 申请日期: 1992-11-20, 公开日期: 1992-11-20
作者: SHIBATA HAJIME; MIHASHI YOSHINOBU; KONDO HIDEKAZU; OOTA TOMOHIRO
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