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Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer 专利
专利号: US20170104315A1, 申请日期: 2017-04-13, 公开日期: 2017-04-13
作者:  YEH, PING-HUI;  YU, MENG-CHUN;  LIN, JIA-HUAN;  HUANG, CHING-CHIN
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晶体管及其制造方法 专利
专利号: GB2489067, 申请日期: 2014-03-19, 公开日期: 2012-09-19
作者:  朱慧珑;  骆志炯;  尹海洲
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半导体器件的制造方法 专利
专利号: US8642433, 申请日期: 2014-02-04, 公开日期: 2013-02-21
作者:  赵超;  钟汇才;  罗军;  梁擎擎
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Mode control waveguide-type laser device 专利
专利号: EP2590276A1, 申请日期: 2013-05-08, 公开日期: 2013-05-08
作者:  MIYAMOTO, NORIYUKI;  YAMAMOTO, SHUHEI;  YANAGISAWA, TAKAYUKI;  HIRANO, YOSHIHITO
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Mode control waveguide laser device 专利
专利号: US7839908, 申请日期: 2010-11-23, 公开日期: 2010-11-23
作者:  YANAGISAWA, TAKAYUKI;  HIRANO, YOSHIHITO;  YAMAMOTO, SYUHEI;  IMAKI, MASAO;  SAKAI, KIYOHIDE
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HOCHLEISTUNGS-HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN DIODE 专利
专利号: DE60311844D1, 申请日期: 2007-03-29, 公开日期: 2007-03-29
作者:  TRAUT SILKE;  SCHMIDT BERTHOLD;  SVERDLOV BORIS;  THIES ACHIM
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Wide-stripe single-mode diode-laser 专利
专利号: US7139300, 申请日期: 2006-11-21, 公开日期: 2006-11-21
作者:  ANIKITCHEV, SERGUEI G.;  CAPRARA, ANDREA
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Semiconductor laser and method for producing the same 专利
专利号: US20050220157A1, 申请日期: 2005-10-06, 公开日期: 2005-10-06
作者:  NAKAMURA, RYO;  WATANABE, YASUHIRO;  TOMITA, KAZUYOSHI
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High performance optoelectronic and electronic inversion channel quantum well devices suitable for monolithic integration 专利
专利号: US6849866, 申请日期: 2005-02-01, 公开日期: 2005-02-01
作者:  TAYLOR, GEOFF W.
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Semiconductor device and drive circuit using the semiconductor devices 专利
专利号: US20020130409A1, 申请日期: 2002-09-19, 公开日期: 2002-09-19
作者:  OUE, EIJI;  WASHIO, KATSUYOSHI;  KONDO, MASAO;  SHIMAMOTO, HIROMI
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